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STMicroelectronics costruirà a Catania il primo impianto al mondo completamente integrato per il carburo di silicio
Redazione InnovationCity Gli obiettivi per il nuovo impianto sono l’avvio della produzione nel 2026 e il ramp-up alla piena capacità entro il 2033, con una produzione a regime fino a 15.000 wafer a settimana. Si prevede un investimento totale intorno ai cinque miliardi di euro, con un sostegno finanziario di circa due miliardi di euro da parte dello Stato italiano nel quadro del Chips Act dell’Unione Europea.
STMicroelectronics ha annunciato un nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di carburo di silicio (“SiC”) da 200 mm per dispositivi e moduli di potenza, nonché per attività di test e packaging, che sarà costruito a Catania. Insieme all’impianto di produzione di substrati in SiC in allestimento nello stesso sito, questi impianti formeranno il Silicon Carbide Campus di ST, realizzando la visione dell’azienda di una completa integrazione verticale degli impianti manifatturieri per la produzione su larga scala su SiC in un unico sito. La creazione del nuovo SiC campus rappresenta una tappa fondamentale per supportare la domanda di dispositivi SiC per applicazioni automotive, industriali e di infrastruttura cloud da parte dei clienti che passano all’elettrificazione e cercano maggiore efficienza.
“Le capacità completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in misura significativa alla leadership di ST nella tecnologia SiC per clienti dei settori automotive e industriale nei prossimi decenni” sottolinea Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics. “Le dimensioni di scala e le sinergie offerte da questo progetto ci consentiranno di attuare una migliore innovazione con capacità produttive in grandi volumi, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali che nel compiere la transizione verso l’elettrificazione sono alla ricerca di soluzioni più efficienti sotto il profilo energetico per centrare gli obiettivi di decarbonizzazione”.
Il Silicon Carbide Campus sarà il polo centrale per l’ecosistema SiC globale di ST e integrerà tutte le fasi del flusso di produzione: sviluppo di substrati in SiC, processi di crescita epitassiale, fabbricazione front-end di fette da 200 mm e assemblaggio back-end dei moduli, ma anche ricerca e sviluppo di processi, progettazione di prodotti, laboratori avanzati di ricerca e sviluppo per i die, sistemi e moduli di potenza e capacità complete di packaging. Questo centro sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in grandi volumi di fette in SiC da 200 mm con tutti i passaggi del processo – substrato, epitassia e front-end, e back-end – condotti con l’utilizzo di tecnologie a 200 mm per raggiungere rese e prestazioni superiori.
Gli obiettivi per il nuovo impianto sono l’avvio della produzione nel 2026 e il ramp-up alla piena capacità entro il 2033, con una produzione a regime (full built-out) fino a 15.000 wafer a settimana. Si prevede un investimento totale intorno ai cinque miliardi di euro, con un sostegno finanziario di circa due miliardi di euro da parte dello Stato italiano nel quadro del Chips Act dell’Unione Europea.
La sostenibilità è parte integrante della progettazione, dello sviluppo e delle attività operative del SiC Campus, a garanzia del consumo responsabile di risorse come acqua ed elettricità.
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