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Kioxia e Sandisk presentano la tecnologia delle memorie flash 3D con velocità dell’interfaccia NAND pari a 4,8 Gb/s
Business Wire Le due aziende mostrano in anteprima la tecnologia delle memorie flash 3D di 10a generazione che stabilisce un nuovo livello di riferimento per le prestazioni, l’efficienza del consumo di potenza e la densità dei bit
Kioxia Corporation e Sandisk Corporation hanno sviluppato un’innovativa tecnologia delle memorie flash 3D stabilendo il benchmark del settore grazie a una velocità dell’interfaccia NAND pari a 4,8 Gb/s, efficienza superiore del consumo di potenza e maggiore densità dei bit.
Presentata all’ISSCC 2025, la tecnologia avanzata delle memorie flash 3D, insieme all’innovativa tecnologia del legame diretto tra il wafer del CMOS e quello dell’array di celle (CBA), incorpora uno degli standard più recenti sull’interfaccia, Toggle DDR6.0 per la memoria flash NAND, e utilizza il protocollo SCA (Separate Command Address), un nuovo metodo di immissione dell’indirizzo di comando dell’interfaccia nonché la tecnologia PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination) che è fondamentale per ridurre ulteriormente il consumo di potenza.
Fonte: Business Wire
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