DNP sviluppa un processo di fotomascheratura per litografia EUV da 3 nm
L'obiettivo è rispondere alle esigenze del settore dei semiconduttori in cui le larghezze delle linee dei circuiti diventano sempre più sottili
TOKYO: Dai Nippon Printing Co., Ltd. è riuscita a sviluppare un processo di fabbricazione della fotomaschera impiegabile con il processo di litografia ultravioletta estrema (EUV) da 3 nanometri (10-9 metri), il processo all’avanguardia per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttori.
DNP risponde continuamente alle richieste dei produttori di dispositivi a semiconduttori in termini di prestazioni e qualità. Nel 2016 siamo diventati il primo produttore commerciale di fotomaschere al mondo a lanciare lo strumento di incisione di fotomaschera multifascio (MBMW, multi-beam mask writing). Nel 2020, abbiamo sviluppato un processo di fabbricazione della fotomaschera per i processi di litografia EUV da 5 nm e da allora realizziamo maschere che rispondono alle esigenze del settore dei semiconduttori.
Fonte: Business Wire
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